Vishay SI4599DY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,7 A; 6,8 A 3 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC
2V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: 1.Vishay SI4599DY-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,7 A; 6,8 A 3 W, 3,1 W, 8-Pin SOIC, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 42,5 mΩ, 62 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.