Vishay SIHU4N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 62,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
2V.Vishay SIHU4N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 4,1 A 62,5 W, 3-Pin IPAK (TO-251), Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.