Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC
: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Höhe: 20.: 3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon HEXFET IRFP3206PBF N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 200 A 280 W, 3-Pin TO-247AC, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.