Infineon OptiMOS P IPD042P03L3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
73mm, Betriebstemperatur max.: 6,8 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Infineon OptiMOS P IPD042P03L3GATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 70 A 150 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.