Infineon OptiMOS P IPB180P04P4L02ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 150 W, 7-Pin D2PAK-7
: 3,9 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Infineon OptiMOS P IPB180P04P4L02ATMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 180 A 150 W, 7-Pin D2PAK-7, Drain-Source-Widerstand max.: –16 V, +16 V, Länge: 10mm, Betriebstemperatur max.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.