Infineon HEXFET IRF7509TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP
: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.Infineon HEXFET IRF7509TRPBF N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 2 A; 2,7 A 1,25 W, 8-Pin MSOP, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, 200 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.