Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223
Infineon CoolMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 3 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 2 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPN80R2K0P7ATMA1.