Infineon HEXFET IRFR24N15DTRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 150 V / 24 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 0,095 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 30V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFR24N15DTRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 150 V / 24 A, 3-Pin DPAK (TO-252)
Specifications of Infineon HEXFET IRFR24N15DTRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 150 V / 24 A, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
---|---|
Category | |
Instock | instock |