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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Murata LQW15A Drosselspule, 18 NH 370mA Mit Ferrit-Kern, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 4.5GHz

About The : +125°C, MPN: LQW15AN18NJ00D.5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max

Murata LQW15A Drosselspule, 18 nH 370mA mit Ferrit-Kern, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 4.5GHz, Tiefe: 0.6mm, Höhe: 0.5mm, Abmessungen: 1 x 0.6 x 0.5mm, Geschirmt: Nein, Gleichstromwiderstand max.: 270mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, Betriebstemperatur max.: +125°C, MPN: LQW15AN18NJ00D

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Murata LQW15A Drosselspule, 18 NH 370mA Mit Ferrit-Kern, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 4.5GHz

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Specifications of Murata LQW15A Drosselspule, 18 NH 370mA Mit Ferrit-Kern, 0402 Gehäuse 1mm / ±5%, 4.5GHz

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RS PRO Druckschalter Rastend PCB-Montage, 4PDT / 2 A, 4 A

RS PRO Druckschalter Rastend PCB-Montage, 4PDT / 2 A, 4 A

-Teile-Nr.RS PRO Druckschalter Rastend PCB-Montage, 4PDT / 2 A, 4 A, Beleuchtet: Nein, Tafelausschnitt Durchmesser: 12.2mm, Kontaktmaterial: Verzinntes Kupfer, Kontakt-AC-Nennspannung: 250 / 125V, Kontakt-DC-Nennspannung: 12 V, 24V, Herst.: FS-4P1-PCBDM1QE, Anschlussart: Lötfahne.

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    • RS PRO Wasserpumpe, 9l/min max., 15 → 25W / 6 → 28 V 9-mm-Schlauchverschraubung 850 mbar max. Aluminium

    RS PRO Wasserpumpe, 9l/min max., 15 → 25W / 6 → 28 V 9-mm-Schlauchverschraubung 850 mbar max. Aluminium

    Aluminium, Gehäusematerial: Aluminium eloxiert, Kopplungsart: Direktantrieb, Dichtungsfrei, Flüssigkeitstemperatur max.: 100°C, Eingangsanschluss: 8mm, IP Schutz: IP67, Pumpentyp: Zentrifugal, Eingesetzte Werkstoffe: Edelstahl 316, eloxiertes Aluminium, Polyacetal, Viton.RS PRO Wasserpumpe, 9l/min max., 15 → 25W / 6 → 28 V 9-mm-Schlauchverschraubung 850 mbar max.

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    • Infineon HEXFET IRFH3707TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 12 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

    Infineon HEXFET IRFH3707TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 12 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

    : 0,0124 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 20V.Infineon HEXFET IRFH3707TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 12 A, 8-Pin PQFN 3 x 3, Drain-Source-Widerstand max.

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    • Infineon HEXFET IRFH3707TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 12 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

    Infineon HEXFET IRFH3707TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 30 V / 12 A, 8-Pin PQFN 3 x 3

    : 20V.: 0,0124 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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