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Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 KW, 200 → 480 V Ac / 315 A

About The Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 kW, 200 → 480 V ac / 315 A, Motorstarter-Typ: Sanftanlauf, IP Schutzart: IP00, MPN: 3RW5074-2TB04

Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 kW, 200 → 480 V ac / 315 A, Motorstarter-Typ: Sanftanlauf, IP Schutzart: IP00, MPN: 3RW5074-2TB04

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Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 KW, 200 → 480 V Ac / 315 A

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Specifications of Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 KW, 200 → 480 V Ac / 315 A

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Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 KW, 200 → 480 V Ac / 315 A
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STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

STMicroelectronics MDmesh STF13NM60N N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 25 W, 3-Pin TO-220FP, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 360 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.4mm.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • STMicroelectronics
    • STMicroelectronics MDmesh STF14NM50N N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

    STMicroelectronics MDmesh STF14NM50N N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 12 A 25 W, 3-Pin TO-220FP

    : +150 °C.4mm, Betriebstemperatur max.: –25 V, +25 V, Länge: 10.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • STMicroelectronics
    • Eaton Moeller Nockenschalter, 2P / 20A, 690V (Volts), 2-Stufen, 45°-Wurfwinkel

    Eaton Moeller Nockenschalter, 2P / 20A, 690V (Volts), 2-Stufen, 45°-Wurfwinkel

    Eaton Moeller Nockenschalter, 2P / 20A, 690V (Volts), 2-Stufen, 45°-Wurfwinkel, Typ: Nockenschalter: Ein-Aus-Nockenschalter, Betätigertyp: Kipphebel, MPN: 62584 T0-1-15402/Z.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
  • Schalter
  • Drehschalter und Zubehör
  • Nockenschalter
  • Eaton
    • onsemi 1N4007 THT Diode, 1000V / 1A, 2-Pin DO-41

    onsemi 1N4007 THT Diode, 1000V / 1A, 2-Pin DO-41

    1V, Diodentechnologie: Siliziumverbindung, Durchmesser: 2.7mm, Stoßstrom-Grenzwert nichtperiodisch: 30A, MPN: 1N4007RLG.onsemi 1N4007 THT Diode, 1000V / 1A, 2-Pin DO-41, Diodenkonfiguration: Einfach, Gleichrichter-Typ: Universal, Diode Typ: Rectifier, Maximaler Spannungsabfall: 1.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Schottky-Dioden und Gleichrichter
  • onsemi
    • AAVID THERMALLOY Kühlkörper SIL-8 Silikon Isolierung

    AAVID THERMALLOY Kühlkörper SIL-8 Silikon Isolierung

    AAVID THERMALLOY Kühlkörper SIL-8 Silikon Isolierung, MPN: 188854F00000G.

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  • Wärmeleitmaterialien
  • AAVID THERMALLOY
    • AAVID THERMALLOY Heat Sink, For TO-3

    AAVID THERMALLOY Heat Sink, For TO-3

    AAVID THERMALLOY Heat Sink, For TO-3, MPN: 501303B00000G.

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  • AAVID THERMALLOY
    • Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 kW, 200 → 480 V ac / 315 A

    Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 kW, 200 → 480 V ac / 315 A

    Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 kW, 200 → 480 V ac / 315 A, Motorstarter-Typ: Sanftanlauf, IP Schutzart: IP00, MPN: 3RW5074-2TB04.

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    • Infineon HEXFET IRLL014NTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 2,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

    Infineon HEXFET IRLL014NTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 2,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

    : +150 °C.: –16 V, +16 V, Länge: 6.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.

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    • Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 kW, 200 → 480 V ac / 315 A

    Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 kW, 200 → 480 V ac / 315 A

    Siemens 3RW50 Sanftstarter 3-phasig 200 kW, 200 → 480 V ac / 315 A, Motorstarter-Typ: Sanftanlauf, IP Schutzart: IP00, MPN: 3RW5074-2TB04.

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    • Infineon HEXFET IRLL014NTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 2,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

    Infineon HEXFET IRLL014NTRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 2,8 A 2,1 W, 3-Pin SOT-223

    7mm, Betriebstemperatur max.: 280 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.

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