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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon IMZ1 IMZ120R140M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 19 A, 4-Pin TO-247-4

About The : 4.Infineon IMZ1 IMZ120R140M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 19 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max

Infineon IMZ1 IMZ120R140M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 19 A, 4-Pin TO-247-4, Drain-Source-Widerstand max.: 140 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

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Infineon IMZ1 IMZ120R140M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 19 A, 4-Pin TO-247-4

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Specifications of Infineon IMZ1 IMZ120R140M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 19 A, 4-Pin TO-247-4

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Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

: 195 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon IPL60R IPL60R185P7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 19 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8.

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    Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    SKF Keilriemen, XPB-Profil 16.3mm x 1550mm, Riementyp: Endlicher Riemen, MPN: PHG XPB1550EP.

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    SKF Keilriemen, XPA-Profil 12.7mm x 2057mm

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    Infineon IPB65R IPB60R180P7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 18 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 180 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    : 4.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Infineon IMZ1 IMZ120R140M1HXKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 19 A, 4-Pin TO-247-4

    5V, Transistor-Werkstoff: Si.: 140 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Infineon IPA60R IPB60R055CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.5V, Transistor-Werkstoff: Si.: 4.

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