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Infineon IPA60R IPB60R055CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

About The 5V, Transistor-Werkstoff: Si.: 4

Infineon IPA60R IPB60R055CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4.5V, Transistor-Werkstoff: Si

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Specifications of Infineon IPA60R IPB60R055CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)

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Infineon IPA60R IPB60R055CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8

: 195 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si.Infineon IPL60R IPL65R195C7AUMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 12 A, 5-Pin ThinPAK 8 x 8, Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon IPD50R IPDD60R190G7XTMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 13 A, 10-Pin DDPAK, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    5V, Transistor-Werkstoff: Si.: 140 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Infineon IPA60R IPB60R055CFD7ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 600 V / 38 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.5V, Transistor-Werkstoff: Si.: 4.

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