Vishay Siliconix TrenchFET SQA403EJ-T1_GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 13,6 W, 6-Pin SC-70-6L

Vishay Siliconix TrenchFET SiDR392DP-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 100 A 125 W, 8-Pin PowerPAK SO-8DC, Drain-Source-Widerstand max.: +20 V, +6 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.

binder 713 20 M12 Rundsteckver Buchse 5-polig / 4.0A Kabelmontage, Schraubanschluss IP69K, Kontakt Gender: Male, Anschlussart: Schrauben, Gehäuseausrichtung: Gerade, Betriebsspannung: 125 V, Gehäusematerial: Edelstahl, MPN: 99-1437-992-05.

JST XAD Leiterplatten-Stiftleiste Gerade, 8-polig / 2-reihig, Raster 2.5mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Kupferlegierung, Kontaktbeschichtung: Zinn, Nennstrom: 3A, MPN: B08B-XADSS-N(LF)(SN).

: 1.5V, Gate-Schwellenspannung min.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101.5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

TE Connectivity Free Height Leiterplattenbuchse Gerade 100-polig / 2-reihig, Raster 0.8mm, Typ: Platine-Platine, Montagetyp: SMD, Anschlussart: Löten, Nennstrom: 500mA, Betriebsspannung: 100 V, Kontaktmaterial: Berylliumkupfer, MPN: 5177985-4.

5mm², 17AWG min, Maximale Drahtgröße (AWG): 13AWG, Anschlussart: Crimp, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Silber, Isoliermaterial: Nylon, Gesamtlänge: 20.

: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101.: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

01/BY/C4.

: 30 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.

01/BY/C4.