Onsemi Diodo, Montaggio Superficiale, 400mA, 50V, SOD-80, Piccolo Segnale

Sick Sensore di prossimità Cilindrico, PNP, M30 x 1.5, rilevamento 350 → 3400 mm, 9 → 30 V c.: 30V, Corrente di commutazione: 200 mA, Materiale custodia: Ottone nichelato, Massima temperatura operativa: +70°C, Minima temperatura operativa: -25°C, MPN: UM30-214112.c.

IXYS MOSFET, canale N, 1,05 Ω, 15 A, TO-247, Su foro, Tensione massima drain source: 1000 V, Numero pin: 3, Modalità del canale: Enhancement, Tensione di soglia gate massima: 6.5V, Dissipazione di potenza massima: 690 W, Configurazione transistor: Singolo, Tensione massima gate source: -30 V, +30 V, Lunghezza: 16.26mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: IXFH15N100Q3.

25DSA(50)., MPN: DF13-10P-1.

a., Serie: 2417, Profondità: 10mm, Lunghezza: 20mm, Materiale: Nylon 66, MPN: 691241700004., 300 V c.

45mm, Massima temperatura operativa: +150 °C, MPN: SM15T220A.15 x 6.STMicroelectronics Diodo TVS, Unidirezionale,, SMD, bloccaggio 388V, breakdown 209V, SMC, Configurazione diodi: Singolo, Tipo di montaggio: Montaggio superficiale, Massima tensione di stand-off inversa: 188V, Dissipazione della potenza di picco dell'impulso: 1500W, Corrente di picco impulso massima: 26A, Minima temperatura operativa: -55 °C, Dimensioni: 7.25 x 2.

SMC Cilindro senza stelo a giunto meccanico, MPN: MY1M16G-200.

onsemi Diodo, Montaggio superficiale, 400mA, 50V, SOD-80, Piccolo segnale, Configurazione diodi: Singolo, Diodo: Rettificatore, Numero pin: 2, Caduta di tensione diretta massima: 1V, Tecnologia del diodo: Giunzione al silicio, Picco del tempo di recovery inverso: 6ns, Diametro: 1.5mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 4A, MPN: FDLL4150.

Box Enclosures ALUM ENCLOSURE, 2 PLATES, 8 SCREWS, BLACK ANODIZED, 1.30 L, MPN: B3-160BK.27 W X 6.

5mm, Corrente di picco su surge non ripetitiva: 4A, MPN: FDLL4150.

30 L, MPN: B3-160BK.Box Enclosures ALUM ENCLOSURE, 2 PLATES, 8 SCREWS, BLACK ANODIZED, 1.77 H X 4.27 W X 6.